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应用事件相关电位N400在39例失语症患者中的应用

申丽红;张冰;赵俊鹏

摘要: 目的 探讨事件相关电位N400在脑卒中后失语症患者康复治疗中的意义.方法 选择2010年3月~2012年8月于河北联合大学附属医院住院治疗的脑卒中后失语症患者39为失语组,选择同期脑卒中后无失语症患者78例为对照组;两组分别进行事件相关电位N400的检查,比较两组在潜伏期和波幅方面的差异.结果 失语组在Fz、Pz、C3、C4的N400潜伏期[(435.2±51.0)、(426.1±42.8)、(427.9±49.8)、(416.8±47.6)ms]长于对照组[(375.5±32.6)、(375.6±36.9)、(363.9±34.8)、(372.3±35.7)ms],差异均有统计学意义(P<0.05);失语组在Fz、Pz、C3、C4的N400波幅[(3.0±1.9)、(2.8±1.4)、(3.1±1.5)、(2.7±1.3)μv]高于对照组[(1.7±0.8)、(1.9±0.9)、(1.7±0.8)、(1.9±0.9)μV],差异均有统计学意义(P<0.05).结论 N400对于反映脑卒中后失语症患者语言功能障碍程度有一定的作用,可以在脑卒中后失语症的康复治疗中发挥作用.

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