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重组P53基因在HepG-2中的表达及作用
为进一步探索正常P53对肿瘤细胞增殖的抑制作用,本文用磷酸钙-DNA共沉淀法,将本室构建的PXT1-P53真核表达细胞转移至HepG-2肝癌细胞系内,经斑点杂交技术和间接免疫荧光技术证实,外源性P53基因已在HepG-2细胞中稳定表达,导入的P53基因亦能抑制HepG-2肝癌细胞系增殖并诱导其凋亡.实验结果提示正常P53基因可成为治疗不同肿瘤的重要靶分子之一.
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135Hz极低频电磁场对Hep G-2细胞骨架及Bcl-2的影响
目的:研究135Hz ELF照射对Hep G-2细胞骨架以及Bcl-2表达的影响.方法:135Hz ELF分别照射Hep G-2细胞6 h、 12 h、 24 h,运用免疫荧光染色法标记广谱细胞角蛋白和抗凋亡蛋白Bcl-2,用激光扫描共聚焦显微镜观察135Hz ELF照射后细胞骨架以及Bcl-2的变化.结果:135Hz ELF照射6 h,Hep G-2细胞胞浆中的角蛋白在核周呈斑片状表达,荧光增强;照射12 h,细胞收缩变圆,Hep G-2细胞角蛋白丝状纤维减少,部分呈团块状分布;照射24 h,Hep G-2细胞中角蛋白分布明显不均匀,浓缩于细胞质边缘,多见团块状分布.与之相对应,随着照射时间延长Hep G-2细胞中Bcl-2荧光有减弱趋势.结论:135Hz的ELF照射可引起Hep G-2细胞骨架发生凝集、部分断裂等凋亡形态变化,这种变化可能是由于Bcl-2表达减少所致.
关键词： 135Hz极低频电磁场 HepG-2细胞 角蛋白 Bcl-2 凋亡 -
135 Hz极低频电磁场对HepG-2细胞内Ca2+浓度的影响
目的:研究135 Hz(电场强度为80 V·m-1)极低频电磁场(ELF)暴露对HepG-2细胞内Ca2+浓度的影响.方法:采用荧光探针Fluo-3/AM标记细胞内Ca2+,135 Hz ELF照射HepG-2细胞1 h后,利用激光扫描共聚焦显微镜技术测定细胞内Ca2+浓度,加入L-型Ca2+通道拮抗剂硝苯地平,探讨135 Hz ELF影响HepG-2细胞内Ca2+浓度变化的具体机制.结果:未暴露组细胞荧光强度较弱,ELF暴露组细胞荧光强度增高,与未暴露组有统计学意义(P<0.01);用硝苯地平干预组细胞荧光强度减弱,与未干预组有统计学意义(P<0.01).结论:135 Hz ELF可能通过引起L-型Ca2+通道的开放造成HepG-2细胞发生Ca2+超载.
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人穿孔素基因的克隆及其在HepG-2细胞中的表达
目的:观察克隆的人穿孔素(perforin, PFN)基因在HepG-2细胞中的表达及其对转染的HepG-2细胞的作用. 方法: 用RT-PCR方法获取人PFN cDNA. 将所获基因克隆入真核表达载体pcDNA3.1-A,转染HepG-2细胞. 间接免疫荧光法检测目的蛋白表达,电镜观察转染细胞的形态和结构变化,细胞计数检测转染目的基因后细胞的增殖情况. 结果:成功获得人PFN全长cDNA,并构建了真核表达载体. 转染HepG-2细胞后,检测出目的蛋白的表达. 细胞计数发现细胞增殖被明显抑制. 电镜观察显示,崩解的细胞呈现坏死的典型特征. 结论: 人PFN全长cDNA可以在转染的HepG-2细胞中表达,并且可使转染细胞的形态发生变化,出现大量细胞坏死.
