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不同视野图形刺激的视觉诱发磁场研究
视觉皮质具有与视网膜相类似的拓扑组织结构,所以人类视觉皮质具有处理不同大小的视野刺激相应的功能区,视神经纤维在视交叉处为半侧X形交叉是该观点的解剖学基础.在以往的视觉诱发电位(VEP)研究中,大致上描述了不同视野刺激时在头皮上记录的诱发电位位置,但无法进一步了解神经元起源的具体位置.近年来已投入临床应用的多通道脑磁图(MEG)设备可将神经生理学资料与MR所获得的神经解剖学资料相叠加,为诱发反应皮质的精确定位提供了条件.本研究利用MEG,描述了不同大小视野图形刺激时视觉诱发磁场(VEF)反应特点和皮质源位置.
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斜视性弱视儿童大脑视皮层损害的脑磁图研究
目的 探讨内斜视性弱视患者,在不同视野黑白棋盘格翻转刺激条件下,大脑皮层活动脑磁图的变化.方法 单眼内斜视性弱视患者4名,分别进行双眼、单眼全视野刺激.单眼颞侧以及鼻侧视野刺激,记录视觉诱发磁场成份之一的M100的振幅、潜伏期以及源定位的变化情况,与4名正常对照组进行比较.结果 双眼全视野刺激,内斜视性弱视组大脑皮层反应M100的振幅降低、潜伏期延长(P<0.05);弱视眼鼻侧视网膜M100的振幅比颞侧视网膜M100的振幅降低、潜伏期延长(P<0.05);非弱视眼M100的振幅比正常对照组M100的振幅降低,潜伏期延长(P<0.05);内斜视性弱视组弱视眼全视野刺激源定位的X轴与正常组比较更偏向原点(P<0.05).结论 内斜视性弱视眼的鼻侧网膜存在一定程度和一定范围的抑制,源定位上弱视眼存在眼优势柱的偏移,斜视性弱视的非弱视眼与正常组也存在功能的差异.
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图形刺激的时间频率对视觉诱发磁场的影响
本研究通过脑磁图,描述了黑白棋盘格图形刺激的视觉诱发磁场(visual evoked field, VEF)特点,着重探讨图形刺激的时间频率即棋盘格的翻转率对VEF的影响,以及不同时间频率时的偶极位置是否有差别.
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男性精神分裂症患者视觉诱发磁场的初步研究
目的:以脑磁图(MEG)研究精神分裂症患者视觉诱发磁场(VEFs)的特点. 方法:20例男性精神分裂症患者(患者组)和13名正常人(对照组),给予右眼左半垂直视野黑白翻转格图形视觉刺激,记录受试者VEFs的M100波形、潜伏期、振幅及激活脑区的等电流偶极(ECD)的磁源性影像(MSI)的XYZ值. 结果:所有受试者VEFs的基本波形为M100,位于距状裂两侧的皮质.与对照组比较,患者组VEFs的M100波形存在异常,潜伏期明显延长,振幅显著降低(P均<0.05);且ECD的XYZ值显示其M100反应的ECD位置在X轴上分布偏移. 结论:MEG可检测出精神分裂症患者VEFs存在异常,其视觉皮质中枢功能亦存在异常.
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急性枕叶脑梗死患者视觉皮质中枢脑磁图变化特征
目的 研究急性枕叶脑梗死患者视觉皮层中枢脑磁图(MEG)的变化特征.方法 对6例急性单侧枕叶梗死表现为对侧视野同向偏盲患者于发病后2周内行视觉诱发磁场(VEFs)测试,并检测8名健康志愿者作为正常对照.刺激选取黑白棋盘格翻转图形.分别记录两组受试者VEFs的M100波峰产生的潜伏期、波形、等电流偶极(ECD)强度和磁源性影像(MSI).结果 所有受试者VEFs反应的基本波形为M100,位于距状裂两侧的皮质.与正常对照组相比,患者健侧枕叶的VEFs反应波形,潜伏期和ECD强度并无明显差异(均P>0.05),而患侧枕叶的VEF反应则出现了波形异常,潜伏期明显延长和ECD强度显著降低(均P<0.05)异常,且MSI显示其M100反应的ECD位置分布紊乱.结论 MEG可检测出急性枕叶脑梗死患者视觉皮质中枢功能的损伤,并能够客观的评价患者视觉皮层中枢的功能状态.
