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小儿人工耳蜗植入后神经反应成像的分析
目的 分析儿童人工耳蜗植入者电极在耳蜗不同部位的神经反应成像(neural response imaging,NRI)特点,以及开机后第一年NRI的变化.方法 研究对象为29例5岁以下单侧植入HiResolution Bionic Ear系列人工耳蜗的儿童.应用SoundWave软件记录每位植入者第3、7、11、15号的NRI阈值(NRI threshold,tNRI)以及NRI幅值增长线性拟合的斜率.根据耳蜗位X线平片确认植入电极在耳蜗内的位置.比较不同位置电极的tNRI及NRI幅值增长斜率的差异,并分析其在开机时及开机后3、6、12个月的变化.结果 单因素方差分析显示,与耳蜗底转电极相比,耳蜗中转电极的tNRI较低,NRI幅值增长斜率较高,其差异均有统计学意义(P<0.05).经配对t检验分析,开机1年内不同测试时间各电极tNRI和NRI幅值增长斜率均无明显变化.结论 耳蜗不同位置电极的NRI存在差异:越靠近耳蜗中转,tNRI越低,NRI幅值增长斜率越高,这与刺激电极对应的蜗内神经组织分布有关,越靠近耳蜗中转神经纤维密度越高,存活的神经组织越多.开机第一年,耳蜗各区域的tNRI和NRI幅值增长斜率无明显变化,提示该期间电刺激对耳蜗神经功能并无明显影响.