首页 > 文献资料
-
植入式心脏转复除颤器不恰当放电研究进展
植入式心脏转复除颤器( ICD)可用于心原性猝死高风险患者,降低远期死亡率。 ICD植入后常见的不良反应为不恰当放电,可导致患者出现焦虑、抑郁等精神异常,甚至增加远期死亡率。加强对ICD误放电的认识,可更好地管理ICD植入患者。
-
不同参数设置对植入型单腔心律转复除颤器不恰当放电的影响
目的 探讨单腔植入型心律转复除颤器(ICD) 不同识别参数设置对不恰当放电的影响.方法 A组入选25例2007年至2008年植入单腔ICD的患者,术后经验设置室性心律失常与室上性心动过速鉴别参数.B组入选25例2009年至2010年植入单腔ICD的患者,术后开启稳定性、突发性和形态学标准.每例随访1年.观察两组室上性心动过速正确识别率和不恰当放电率.结果 与A组相比,B组对室上性心动过速正确识别率较高(68.0%、28.0%),室上性心动过速放电率较低(24.0%、76.0%),不恰当放电所致住院率较低(4.0%、20.0%).A组不恰当放电引发室性心动过速2例.结论 术后启用三项鉴别参数能减少ICD不恰当放电.
关键词: 植入型心律转复除颤器 不恰当放电 室上性心动过速 -
皮下埋藏式心脏转复除颤器技术研究进展
皮下埋藏式心脏转复除颤器(ICD)(SICD)技术是预防心源性猝死(SCD)的新尝试,避免了传统静脉ICD的导线并发症,适用于导线并发症发生率高、无起搏指征、预期生存时间长的年轻患者.众多临床研究证实了S-ICD在治疗SCD中的有效性、安全性.S-ICD系统主要由脉冲发生器、皮下电极、体外程控仪构成.S-ICD存在延迟放电、不恰当放电、高能放电、无起搏功能、兼容性等尚存争议的问题.S-ICD在一定适应证范围内有潜在大的应用前景.