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辛基酚羧基化碳纳米管修饰电极方法测定
目的 建立修饰电极测定辛基酚的新方法.方法 通过自组装的方法将羧基化碳纳米管(c-CNT)组装到壳聚糖修饰的玻碳电极表面,构建c-CNT-壳聚糖修饰玻碳电极,在pH 6.0的磷酸盐缓冲溶液中,用循环伏安法和示差脉冲伏安法探讨辛基酚在该修饰电极上的电化学行为及其测定.结果 在pH 6.0磷酸盐缓冲溶液中,测定辛基酚的线性范围为8.33×10-8 ～2.0×10-5 mol/L,检测限为3.67×10-8 mol/L(S/N=3);采用同一支电极对3.0×10-6mol/L的辛基酚平行测定10次,相对标准偏差为3.6％;对标准样品进行加标回收率实验,回收率为(92.5±0.1)％～(106.5±0.1)％;将修饰电极放置2d后再次测定,峰电流为初峰电流的95％;大部分离子如K+、Na+、NH4+、Ca2+、Mg2+、C1-、NO3-、Ag+、Sr2+、Zn2+、Cd2+、Ni+、F-、C1-、NO3-、SO42-和PO43-对测定无干扰,50倍量的多巴胺、抗坏血酸、尿酸几乎不干扰辛基酚测定,而10倍的双酚A和壬基酚对辛基酚测定有一定干扰.结论 该方法简单、快速,可用于样品中辛基酚含量测定.
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DNA电化学生物传感器测定水中痕量铅
采用物理涂附法将单链DNA固定到金表面得到ssDNA/Au修饰电极.研究表明,该电极在pH 5,0.2 mol/L NaAc-HAc缓冲底液中,可用于测定水中痕量Pb2+.Pb2+以Pb-DNA络合物的形式吸附在电极上,以示差脉冲伏安法测定Pb2+,在0.15 V(vs SCE)处有灵敏的氧化峰,其峰电流与Pb2+浓度在5.0×10-8～1.0×10-6 mol/L范围内呈良好的线性关系,此法的检测限为2.0×10-8 mol/L,该修饰电极的稳定性和抗干扰性都较好.用该电极对饮用水中的Pb进行检测,得到了满意的结果.
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LA MP结合示差脉冲伏安法快速检测肺炎克雷伯菌的方法建立及临床应用
目的：利用环介导恒温扩增（LAMP）技术结合示差脉冲伏安（DPV）法，建立快速检测肺炎克雷伯菌的方法，并将其应用于小儿腹泻病原菌分析。方法通过基因比对与引物设计，建立针对肺炎克雷伯菌的LAMP 检测方法。采用LAMP 技术对肺炎克雷伯菌和其他8种干扰菌以及对不同浓度肺炎克雷伯菌进行扩增，结合DPV法评价其特异性及灵敏度。将200份腹泻患儿的粪便标本同时采用LAMP方法与培养法进行检验，对比2种方法检测肺炎克雷伯菌的阳性率。统计近2年该院门诊及住院小儿腹泻病例，初步分析其常见腹泻致病菌种类及比例。结果设计出针对肺炎克雷伯菌的LAMP 检测方法，该法只针对肺炎克雷伯菌有扩增，对其他干扰菌不扩增，显示出良好的特异性，LAMP法低检测限为10 CFU/mL，显示出较高的灵敏度。200份腹泻患儿粪便标本，采用LAMP法与培养鉴定法检测的肺炎克雷伯菌阳性率差异无统计学意义（P＞0．05）。近2年内该院小儿腹泻粪便标本中共检出致病菌709株，主要病原菌分别为志贺菌（34．23％）、大肠杆菌（15．40％）、铜绿假单胞菌（12．96％）、弗劳地枸橼酸杆菌（7．82％）、沙门菌（6．36％）、白色念珠菌（6．11％）、肺炎克雷伯菌（4．40％）、产气荚膜梭菌（3．67％）、变形杆菌（3．42％）、其他菌（5．63％）。结论设计出了针对肺炎克雷伯菌的LAMP检测方法，该法具有良好的特异性和较高的灵敏度，能够用于肺炎克雷伯菌的快速检验。
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甲硝唑的伏安行为及其痕量测定
目的:用一种新型电化学预处理玻碳电极测定甲硝唑.方法:用电化学预处理玻碳电极(PGCE)为工作电极,用示差脉冲伏安法测定甲硝唑.结果:PGCE能提高甲硝唑的电化学响应,且具有较好的稳定性,可对甲硝唑进行痕量测定,还原峰电流与甲硝唑的浓度在4.86×10-6～5.20×10-4mol·L-1(r=0.998)成良好的线性,低检测限为1.86×10-7mol·L-1(信号与噪音比为3).研究表明,甲硝唑在PGCE上的电化学行为受扩散控制.结论:该方法稳定性好,灵敏度高,可用于甲硝唑的制剂分析.
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D-色氨酸修饰电极测定盐酸氨溴索的研究
目的:研究聚D-色氨酸修饰玻碳电极的制备条件及该修饰电极的应用.方法:在含有2.50×10-3mol·L-1D-色氨酸的磷酸盐缓冲溶液(PBS)中,用循环伏安法,研究了聚合D-色氨酸的佳条件;用示差脉冲伏安法测定盐酸氨溴索.结果:在玻碳电极上修饰D-色氨酸的佳条件是:在2.5×10-3mol·L-1D-色氨酸的PBS(pH=4.0)中用循环伏安法修饰16圈.于PBS(pH=8.0)中测定盐酸氨溴索,测定的线性范围为:7.20×10-7～1.68×10-3mol·L～,检出限为2.4×10-7mol·L-1.结论:制得的聚D-色氨酸修饰电极具有较好的稳定性和重现性,且制作方法简便,用于盐酸氨溴索的测定具有较宽的线性范围和较低的检出限,建立了一种测定约物的新方法.
关键词： 聚D-色氨酸修饰电极 盐酸氨溴索 示差脉冲伏安法 -
多巴酚丁胺在磷钨酸铈/碳纳米管复合物修饰电极上的电化学行为及其测定
目的:制备出磷钨酸铈纳米晶负载的碳纳米管修饰电极,研究多巴酚丁胺(DBTM)在该修饰电极上的电化学行为,建立DBTM含量测定的示差脉冲伏安新方法.方法:用浸渍法制备负载磷钨酸铈(CePW)复合材料的CePW/LDWNT修饰电极,用电化学阻抗(EIS)对修饰电极进行表征并考察多巴酚丁胺在不同电极体系中的循环伏安特性.结果:制备的纳米复合物对DBTM具有催化氧化作用,DBTM的氧化峰电流与浓度在2.0×10-6～8.0×10-6mol·L-1范围内呈线性关系,线性回归方程为ip=-10.06 +5.824C,r=0.9966,检测限为5.8×10-9mo1·L-1(S/N=3).结论:该法灵敏度高,选择性及重现性好,可用于盐酸多巴酚丁胺注射液中多巴酚丁胺的测定.
