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60Co γ线文献资料
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电离辐射致K562细胞旁效应的买验研究
目的 研究60Co γ线不同剂量照射条件培养液(ICM)培养k562细胞后引发的旁效应.方法 采用健康男性外周血自然杀伤(NK)细胞.观察不同剂量60Coγ线照射的条件培养液培养后引发的K562细胞对NK细胞敏感性的改变,同时用流式细胞仪检测K552细胞的凋亡情况.结果 照射组NK细胞活性显著增加,即受照肿瘤细胞的培养基显著影响了未受照肿瘤细胞的存活能力,从而NK细胞对未照射细胞的活性显著增加;其中,从0.5 Gy起即出现显著升高,1.0 Gy继续增加,2.0和5.0 Gy出现波动,在8.5 Gy达到高.照射组K<562>细胞的凋亡率比对照组显著增加(P<0.01),即受照肿瘤细胞的培养基显著影响了未受照肿瘤细胞的存活能力.在0.5 Gy处,即出现非常明显的效应.结论 对于K562细胞,ICM对细胞显示出明显损伤作用,NK细胞活性显著增加,凋亡率升高.提示存在培养基转移介导的电离辐射旁效应.
