您当前的位置：
首页 > 文献资料
所属专业：
脂多糖应答基因文献资料
-
脂多糖应答基因对神经元细胞类缺血再灌注损伤的影响
目的 研究神经元细胞中脂多糖应答基因(LRG)的表达对细胞类缺血再灌注损伤的影响.方法 将小鼠神经元细胞分为对照组和处理组,处理组给予体外类缺血再灌注处理,采用定量PCR(qPCR)和Western blot的方法检测细胞中LRG基因的表达.将原代培养的神经元细胞分为空白组、空载质粒组、过表达组、非特异小干扰RNA(siRNA)组、沉默组,过表达组/沉默组转染LRG基因过表达质粒或siRNA,采用噻唑蓝(MTT)法检测细胞经类缺血再灌注后的生长状况,同时利用Western blot分析细胞中活化蛋白激酶B(pAkt)的表达.将原代培养的神经元细胞再分为阴性对照组、过表达组和抑制剂组,抑制剂组利用20 μmol/L LY294002抑制细胞中磷脂酰肌醇-3激酶(PI3K)的正常功能,MTT法分析过表达LRG基因的细胞体外生长状况,同时利用Western blot方法分析细胞中活化的半胱氨酸天冬氨酸蛋白酶(caspase)3的表达.结果 与对照组相比,类缺血再灌注处理显著降低细胞中LRG基因的表达(P＜0.05).过表达LRG基因可显著提高缺血再灌注损伤细胞在体外的存活(P＜0.05),而沉默LRG基因则降低细胞的存活(P＜0.05).同时,过表达LRG基因上调细胞中pAkt的表达而沉默LRG基因则下调pAkt的表达(P＜0.05).抑制神经元细胞中PI3K可降低缺血再灌注损伤后细胞的存活率(P＜0.05),并且提高细胞中活化caspase 3的表达(P＜0.05).结论 在神经元细胞中过表达LRG能通过激活PI3K/Akt信号途径降低细胞在类缺血再灌注中的损伤.
关键词： 神经元细胞 脂多糖应答基因 1-磷脂酰肌醇3-激酶 活化蛋白激酶B 再灌注损伤
