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金属氧化物半导体场效应晶体管探测器文献资料
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用MOSFET探测器进行乳腺癌放疗剂量的实时检测
目的 研究用金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)探测器测量接受高能X射线半束照射的乳腺癌患者的照射剂量。方法 采用MOSFET探测器首先在人体模型上测量,研究在6MV X射线半束照射中相邻半野剂量的分布情况和加速器相关因子的影响,然后实时测量10例乳腺癌患者腋锁野与胸壁切线野6MVX射线半束照射时匹配线上、腋锁野内和胸壁切线野内皮肤的实际吸收剂量。结果 人体模型的剂量测定显示6 MVX射线照射两相邻半野匹配线上剂量与给定剂量差异极小(均3％内),照射野内剂量差异也较小(均1.5％内)。准直器角度在270°和90°时匹配线剂量值与准直器角度在0°时匹配线剂量值不同。患者的剂量测量显示胸壁皮肤实际测量剂量与计划剂量偏差大达- 30.39％,小也达- 18.85％,平均偏差为- 24.76％;保乳术患者胸壁实际受照剂量与计划剂量偏差较根治术患者大,两者相比不同(t=2.40,P＜0.05);腋锁野皮肤剂量大和小剂量差值为6.04 cGy,保乳术患者腋锁野剂量与根治术患者相比相似(t=1.30,P＞0.05)。在不同分次照射中两相邻野交界处的单次剂量测定有显著地变化,但在15个分次照射中穿过交界处的平均剂量数值较稳定。结论 MOSFET探测器适用于乳腺癌放疗中相邻野交界处剂量测定;乳腺癌患者放疗中有必要进行全程剂量监测,随时调整剂量、纠正误差以提高靶区吸收剂量准确性。
关键词： 金属氧化物半导体场效应晶体管探测器 剂量学 相邻半野 模型 乳腺肿瘤
