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基底核损伤与额叶损伤对注意力和短时记忆的影响
目的:探讨基底核损伤与额叶损伤对注意力和短时记忆的影响,为不同脑区损伤患者记忆康复策略的制定提供理论依据.方法:收集2007年3-8月在南京医科大学第一附属医院住院患者共28例,其中额叶损伤组12例,左侧基底核损伤组8例,右侧基底核损伤组8例.同期住院的非脑部疾病的患者或无任何疾病的健康者10例.结果:①额叶损伤组在MMSE中的计算力、回忆能力,WMS中所有的注意力和短时记忆力,连线A和B测验等得分均显著低于对照组(P＜0.05).②左侧基底核损伤组在MMSE中的计算力和回忆能力,在WMS-R中的注意力和与短时记忆相关的逻辑记忆和视觉成对联想,以及连线测验A和B等得分也显著低于对照组(P＜0.05).③右侧基底核损伤组在MMSE中的回忆能力,WMS中的注意力和与短时记忆相关的逻辑记忆和视觉成对联想,以及连线测验B等得分与对照组相比有显著差异(P＜0.05):而数字记忆广度测验项目的得分低于对照组,显著高于额叶损伤组和左侧基底核损伤组(P＜0.05).结论:额叶损伤所导致的注意障碍与短时记忆障碍较基底核损伤更为严重而广泛;左右侧基底核损伤在瞬时记忆方面有其相应特征;该研究提示计算力、回忆能力以及数字记忆广度等测验项目可以用于为基底核或额叶损伤患者的记忆障碍检查.
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非痴呆帕金森病短时记忆障碍的事件相关电位研究
目的评价事件相关电位对非痴呆帕金森病短时记忆障碍诊断的临床价值.方法对24例非痴呆帕金森病患者(病例组)和30例健康受试者(对照组)进行短时记忆测试,同时分别完成听觉经典Oddball序列、视觉非经典Oddball序列事件相关电位检查.结果经典Oddball序列诱发的P300潜伏期、波幅与非经典Oddball序列诱发的P450潜伏期比较,两组间无明显差异(P>0.05),病例组P450波幅[(27.0±3.9)μV]较对照组[(39.7±6.1)μV]明显降低(P<0.05),且与记忆商值呈正相关(r=0.93,P<0.05).结论应用某些特殊诱发模式,事件相关电位对短时记忆障碍的诊断有一定的临床价值.
