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中子辐照文献资料
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252Cf放射性同位素中子源辐照杀灭炭疽杆菌的理论研究
目的 研究252Cf放射性同位素中子源辐照杀菌的可能性.方法 通过MCNP模拟计算方法,推算其所使用的模型,计算出252Cf中子辐射杀灭炭疽杆菌芽孢的辐照剂量和辐照时间.结果 经MCNP理论模拟研究,建立了MCNP模拟252Cf中子源产生的中子辐射消毒的模型,推演出使用石蜡作为反射材料可取得好的结果.计算出用252Cf中子辐射杀灭炭疽杆菌芽孢的辐照剂量为1000 Gy,辐照时间为18 min.结论 利用252Cf中子辐射杀灭炭疽杆菌芽孢具有实际应用的可能性.
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Be-Am中子源杀灭炭疽的可行性分析
目的 研究Be-Am中子源用于杀灭炭疽的可能性.方法 通过MCNP模拟计算方法,建立其所使用的模型,计算了Be-Am中子源杀灭炭疽杆菌芽孢的辐照剂量,比较了单个中子沉积能量与Cf-252放射性同位素源和中子管源的不同.结果 建立MCNP模拟Be-Am中子源产生中子辐照消毒的模型,得出所用中子辐照强度与炭疽层面积成正比,并且与中子管和Cf-252的辐照剂量在同一个数量级上,但是Be-Am中子源具有价格低廉、中子产额稳定及使用期限长等优点.结论 利用Be-Am中子源杀灭炭疽杆菌芽孢更具有现实意义.
