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辐射伏特效应同位素电池文献资料
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半导体器件在辐射作用下的电学输出性能
半导体结型器件是决定辐射伏特效应同位素电池能量转换效率的核心部件.本工作采用加速器产生的不同能量电子束和63Ni源的β射线对硅基PiN结型器件进行辐照,在线测量了其电学输出性能.结果表明,当电子束能量为18 keV时,能量转换效率＞4%;电子束能量为6 keV时,能量转换效率为0.16%～0.33%,活度为2.96×108Bq的63Ni源片辐照的能量转换效率约为0.1%.
关键词： 辐射伏特效应同位素电池 半导体器件 能量转换效率 -
氚钛片辐照硅基半导体器件电学输出性能
制备了多个不同厚度金属钛膜吸附不同量3H的氚钛片,利用这些源片辐照硅基半导体器件,测试并分析了它们的电学输出性能.结果表明,这些氚钛片辐照硅基半导体器件可以输出电流,但由于金属钛对氚源β射线的阻挡,器件输出电流和大输出功率与钛膜中贮氚量不呈正比增长关系,小的钛膜厚度有利于提高β射线能量利用率.
关键词： 氚钛片 辐射伏特效应同位素电池 电学输出性能
