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半导体激光诱变蝗虫控制效果研究
目的:为研究半导体激光对蝗虫的杀灭控制效果.方法:将实验虫体按龄期分为照射实验组和对照组,采用波长808nm、功率2W的半导体连续单管激光器对东亚飞蝗成虫和幼虫头部、翅根、腹部位置;Ⅰ-Ⅲ龄期和Ⅳ-Ⅵ龄期的亚洲车蝗幼虫头部进行不同时间、不同距离的照射实验.分别观察照后第三天东亚飞蝗的致死率;照后2小时、照后2天和照后3天亚洲车蝗的致死率.结果:统计结果表明相同辐照条件下,激光对蝗虫头部具有较强的生物学致死效应;随着照射后时间的延长蝗虫的致死率增加;蝗蝻较成虫容易致死,且蝗虫龄期越小致死率越高.随着激光功率密度和照射时间的增加,蝗虫致死率呈现增长趋势,且功率密度对蝗虫的致死效果起决定性作用.结论:近红外激光辐照蝗虫头部有较好的致死作用,且龄期越小致死效果越好.
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头状链霉菌原生质体的制备及其诱变
目的:建立头状链霉菌原生质体的制备方法,进而对其原生质体进行诱变,以期筛选到丝裂霉素C的高产菌株.方法:采用酶法制备原生质体,用紫外及激光进行原生质体诱变,HPLC检测突变株的生产能力.结果:头状链霉菌原生质体制备的佳条件为菌丝体培养基中含有1.5%甘氨酸、25%蔗糖,酶解液中含有溶菌酶5 mg/ml、蜗牛酶2 mg/ml、纤维素酶2 mg/m,溶菌温度33℃,酶解2 h.对其原生质体进行诱变,激光诱变正突变率高于紫外诱变,经激光诱变后得到两株高产突变株,分别比出发菌株产量高22.2%及23.0%.结论:该方法有效地改善了此株头状链霉菌原生质体制备效果,用其进行激光诱变筛选到了丝裂霉素C的高产菌株.
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螺旋霉素产生菌的He-Ne激光诱变效果及其数量分析
目的 利用He-Ne激光选育螺旋霉素产生菌生二素链霉菌(Streptomyces ambofaciens)的高产菌.方法 利用功率密度为0.4mW/cm2的He-Ne激光器,以不同的时间辐照螺旋霉素产生菌,筛选高产突变株.结果 在激光照射8h的条件下,得到一株发酵效价比对照提高了38.6%的高产菌株,而且组分较出发菌株优异.结论 通过对辐照剂量与致死率及正突变率问关系的数量分析,得到了一个基于自限模型和正态分布模型的用连续函数表达的诱变效果数学模型,根据模型优化的优值,确定了He-Ne激光诱变的佳作用时间为9h.
